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當前位置:首頁產品中心光電探測器MCT碲鎘汞探測器MCT四級TE冷卻光電導探測器

MCT四級TE冷卻光電導探測器

產品簡介

1-16μm 中紅外光浸沒式MCT四級TE冷卻光電導探測器 PCI-4TE系列截止波長受GaAs透過率(~0.9 μm)的限制。設備應該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻時探測器性能降低。

產品型號:
更新時間:2024-12-04
廠商性質:經銷商
訪問量:1387
詳細介紹在線留言
品牌其他品牌產地類別進口
應用領域化工,能源,建材/家具,電子/電池

PCI-4TE系列是基于復雜的MCT異質結構的四級熱電冷卻紅外光電導探測器,采用光學浸沒以提高探測器的性能,使其具有好的性能和穩定性。探測器在λ_opt時性能好。截止波長受GaAs透過率(~0.9 μm)的限制。設備應該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻時探測器性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長增大而增大。3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口,防止不必要的干擾效應。

產品特點

可探測中紅外光波段范圍1-16μm

帶有四級TE冷卻以提高探測器響應度

帶有超半球微型砷化鎵透鏡,實現光學浸沒

特殊抗反射涂層,防止不必要干擾

可配專用的前置放大器

封裝及尺寸

TO8型封裝外形尺寸圖

55.jpg

參量

數值

浸沒微型透鏡形狀

超半球形

光學區域面積Aomm×mm

0.5×0.5

1×1

2×2

R,mm

0.5

0.8

1.25

A,mm

7.3±0.4

6.4±0.4

5.0±0.4

備注:

?—接收角度;

R—超半球微型透鏡半徑

A—4TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離


4TE-TO8引腳定義

功能

PIN號

探測器

1,3

熱敏電阻

7,9

TE冷卻器供應

2(+),8(-)

底板接地

11

未使用

4,5,6,10,12


4TE-TO66封裝尺寸圖

44.jpg

參量

數值

浸沒微型透鏡形狀

超半球形

光學區域面積Aomm×mm

0.5×0.5

1×1

2×2

R,mm

0.5

0.8

1.25

A,mm

8.35±0.4

7.45±0.4

6.1±0.4

備注:

?—接收角度;

R—超半球微型透鏡半徑

A—4TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離


4TE-TO66引腳定義

功能

引腳編號

探測器

7,8

熱敏電阻

5,6

TE致冷供給

1(+),9(-)

未使用

2,3,4

產品應用

熱成像

FTIR光譜學

激光外差探測

中紅外氣體分析

技術參數

參數

探測器型號

PCI-4TE-9

PCI-4TE-10.6

PCI-4TE-12

PCI-4TE-13

PCI-4TE-14

有源元件材料

外延MCT異質結構


峰值波長(μm)

9.0

10.6

12.0

13.0

14.0

相對響應強度D*   (λpeak,20kHz),cm·Hz1/2/W

≥1.25×1010

≥4.0×109

≥3.0×109

≥2.0×109

≥5.0×108

相對響應強度D* (λopt,20kHz),cm·Hz1/2/W

≥1.0×1010

≥3.0×109

≥2.0×109

≥1.0×109

≥3.0×108

電流響應度-活性面積長度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W

≥0.9

≥0.2

≥0.09

≥0.05

≥0.03

時間常數T,ns

≤80

≤30

≤7

≤6

≤5

1/f噪聲角頻率fc,Hz

≤10k

≤20k


偏置電壓-光學區域長度比Vb/LO,V/mm

≤0.3

≤0.24

≤0.18

電阻R,Ω

≤500

≤400

≤300

工作溫度Tdet,K

~195


感光面尺寸Ao,mm×mm

0.5×0.5,1×1,2×2


封裝

TO8,TO66


接收角?

~36°


窗口

wZnSeAR



20℃探測器的光譜響應曲線

3.png

兩級TE冷卻參數表

參量

數值

Tdet,K

~195

Vmax,V

8.3

Imax,A

0.4

Qmax,W

0.28


熱敏電阻特性曲線

2te1.png

窗口鏡抗反射涂層透過率曲線


4.png

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