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當前位置:首頁產品中心光電探測器MCT碲鎘汞探測器三級TE冷卻光電導探測器

三級TE冷卻光電導探測器

產品簡介

1-15μm中紅外光浸沒式MCT三級TE冷卻光電導探測器 PCI-3TE系列應該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻時探測器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長增大而增大。帶有3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口,防止不必要的干擾效應。

產品型號:
更新時間:2024-12-04
廠商性質:經銷商
訪問量:1314
詳細介紹在線留言
品牌其他品牌產地類別進口
應用領域化工,能源,建材/家具,電子/電池

PCI-3TE系列是基于復雜的MCT異質結構的三級熱電冷卻紅外光電導探測器,采用光學浸沒來提高探測器的性能,具有好的性能和穩(wěn)定性。探測器在Image時被性能好。截止波長受GaAs透過率(~0.9 μm)的限制。設備應該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻時探測器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長增大而增大。帶有3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口,防止不必要的干擾效應。

產品特點

可探測中紅外光波段范圍1-15μm

帶有三級TE冷卻以提高探測器響應度

帶有超半球微型砷化鎵透鏡,實現光學浸沒

特殊抗反射涂層,防止不必要干擾

可配專用的前置放大器

封裝及尺寸

TO8型封裝外形尺寸圖

66.jpg

參量

數值

浸沒微型透鏡形狀

超半球形

光學區(qū)域面積AOmm×mm

0.5×0.5

1×1

2×2

R,mm

0.5

0.8

1.25

A,mm

5.7±0.35

4.8±0.35

3.45±0.35

備注:

?—接收角度;

R—超半球微型透鏡半徑

A—3TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離


3TE-TO8引腳定義

功能

PIN號

探測器

1,3

熱敏電阻

7,9

TE冷卻器供應

2(+),8(-)

底板接地

11

未使用

4,5,6,10,12


3TE-TO66封裝尺寸圖

77.jpg

參量

數值

浸沒微型透鏡形狀

超半球形

光學區(qū)域面積Aomm×mm

0.5×0.5

1×1

2×2

R,mm

0.5

0.8

1.25

A,mm

6.75±0.35

5.85±0.35

4.5±0.35

備注:

?—接收角度;

R—超半球微型透鏡半徑

A—3TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離


3TE-TO66引腳定義

功能

引腳編號

探測器

7,8

熱敏電阻

5,6

TE致冷供給

1(+),9(-)

未使用

2,3,4

產品應用

熱成像

FTIR光譜學

激光外差探測

中紅外氣體分析

技術參數

參數

探測器型號

PCI-3TE-9

PCI-3TE-10.6

PCI-3TE-12

PCI-3TE-13

有源元件材料

外延MCT異質結構

峰值波長(μm)

9.0

10.6

12.0

13.0

相對響應強度D*   (λpeak,20kHz),cm·Hz1/2/W

≥1.0×1010

≥4.5×109

≥1.6×109

≥9×108

相對響應強度D* (λopt,20kHz),cm·Hz1/2/W

≥6.2×109

≥2.5×109

≥9×108

≥4.5×108

電流響應度-活性面積長度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W

≥0.7

≥0.17

≥0.07

≥0.03

時間常數T,ns

≤60

≤20

≤5

≤4

1/f噪聲角頻率fc,Hz

≤10k

≤20k

偏置電壓-光學區(qū)域長度比Vb/Lo,V/mm

≤0.2

≤0.15

電阻R,Ω

≤400

≤300

工作溫度Tdet,K

~210

感光面尺寸Ao,mm×mm

0.5×0.5,1×1,2×2

包裝

TO8,TO66

接收角?

~36°

窗口

wZnSeAR

20℃探測器的光譜響應曲線

3.png

兩級TE冷卻參數表

參量

數值

Tdet,K

~210

Vmax,V

3.6

Imax,A

0.45

Qmax,W

0.27


熱敏電阻特性曲線

2te1.png

窗口鏡抗反射涂層透過率曲線

4.png

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