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產(chǎn)品中心
光電探測(cè)器
Si硅光電探測(cè)器
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產(chǎn)品分類(lèi)200-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器 銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲,非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的APD之外,還提供具有可變?cè)鲆?即M因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/p>
320-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器 銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲,非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的APD之外,還提供具有可變?cè)鲆?即M因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/p>
400-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器 銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲,非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的APD之外,還提供具有可變?cè)鲆?即M因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/p>
320-1000nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器 銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲,非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的APD之外,還提供具有可變?cè)鲆?即M因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/p>
硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz 高速低噪聲光電平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的超低噪 聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。 具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等 特點(diǎn),可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲,提高系統(tǒng)的信噪比。