熱門搜索：
P760/01_2760nm單模垂直腔面發射激光器
VCSEL-20-M激光控制驅動器
ZNSP25.4-1IR拋光硫化鋅(ZnS)多光譜(透明)窗片 0.37-13.5um 25.4X1.0mm（晶體/棱鏡
CO2激光光譜分析儀
Frequad-W-CW DUV 單頻連續激光器 213nm 10mW Frequad-W
HB-C0BFAS0832x4 QPSK C波段相干混頻器（信號解調/鎖相放大器等）
ER40-6/125截止波長1300nm 高摻雜EDF摻鉺光纖
THL-ZnTe20-500RZNTE（碲化鋅）太赫茲晶體
GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm
SNA-4-FC-UPC日本精工法蘭FC/UPC（連接器/光纖束/光纜）
IRV2000-1X1倍紅外觀察鏡 350-2000nm,分辨率 60lp/mm
NANOFIBER-400-9-SA干涉型單模微納光纖傳感器 1270-2000nm
1030nm超短脈沖種子激光器PS-PSL-1030
高能激光光譜光束組合的光柵 （色散勻化片）
FLEX-BF裸光纖研磨機
S+C+L波段 160nm可調諧帶通濾波器
IR拋光FZ級(Si)硅窗片 1.2-15um (10.0X2mm 窗口片)（晶體/棱鏡/窗片）
產品簡介
product
產品分類| 品牌 | 其他品牌 | 價格區間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組成要素 | 半導體激光器產品及設備 | 產地類別 | 進口 |
| 應用領域 | 電子/電池,電氣,綜合 |
IR拋光FZ級(Si)硅窗片 1.2-15um (10.0X2mm 窗口片)（晶體/棱鏡/窗片）
光學級硅通常規定為具有5至40ohm-cm的電阻率，其電阻率比大多數半導體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制，te別是對于TeraHertz應用。通常的材料為CZ(Czochralski級提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸收帶，因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口，則此性質不重要。 如果需要FZ(Float Zone級材料)，可以提供沒有這種吸收的（FZ）工藝的材料。硅主要用作3至5um波段的光學窗口并用作光學濾波器的制片基底。 具有拋光面的大塊硅也用作物理實驗中的中子靶。硅通過Czochralski提拉法技術（CZ）生長并且包含一些導致9um的吸收帶的氧。 為了避免這種情況，硅可以通過（FZ）工藝制備。 光學硅通常輕摻雜（5~40 Ohm cm），以在10um以上的波段好的透射。 硅具有30至100um的另一通帶，其僅在非常高電阻率的未補償材料中有效。 摻雜通常是硼（p型）和磷（n型）。
IR拋光FZ級(Si)硅窗片 1.2-15um (10.0X2mm 窗口片)（晶體/棱鏡/窗片）
公司簡介
筱曉(上海)光子技術有限公司成立于2014年，是一家被上海市評為高新技術企業和擁有“上海市專精特新企業稱號"的專業光學服務公司，業務涵蓋設備代理以及項目合作研發，公司位于大虹橋商務板塊，擁有接近2000m2的辦公區域，建有500平優良的AOL(Advanced Optical Labs)光學實驗室，為國內外客戶提供專業技術支持服務。公司主要經營光學元件、激光光學測試設備、以及光學系統集成業務。十年來，依托專業、強大的技術支持，以及良好的商務支持團隊，筱曉的業務范圍逐年增長。目前業務覆蓋國內外各*高校、*科研機構及相關領域等諸多企事業單位。筱曉擁有一支核心的管理團隊以及專業的研發實驗室，奠定了我們在設備的拓展應用及自主研發領域堅實的基礎。
公司自成立以來，始終遵循行業、誠信發展、探索創新、務實致遠、以質取勝的服務理念，并在產品開發和銷售中貫徹到底。公司自始至終秉承著國際標準的質量安全保障。多年來，公司一直致力于光學設備的設計開發，以及知識產權的保護。我們將不斷完善管理機制和技術水平，為客戶提供更安全環保的產品以及更優質的服務。
當前位置：
上一個：
返回列表
