筱曉(上海)光子技術有限公司,MCT探測器,半導體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測器

產品型號：

更新時間：2024-12-06

廠商性質：經(jīng)銷商

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產品分類

光電探測器

超快光電探測器/EOT 單光子探測器/計數(shù)器光電倍增管其他光電探測器 Ge鍺光電探測器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測器 Si硅光電探測器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測器 MCT碲鎘汞探測器

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400-828-1550

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品牌	其他品牌	價格區(qū)間	面議
組成要素	半導體激光器產品及設備	產地類別	進口
應用領域	化工,建材/家具,電子/電池

硅(Si) 硅基光電探測器是一種額定帶寬，固定增益的光電探測器，用于檢測光信號。光信號從光電sensor感應面輸入，輸出通過BNC以電壓形式輸出。本產品能測量800nm到1700nm波長范圍的光信號。具體性能參數(shù)數(shù)據(jù)參考附錄表格。LD-PD光電探測器外殼帶有英制1/4"-20螺紋的安裝孔，可以方便的安裝固定。外殼部分還附帶兩種不同尺寸的螺紋接圈，這兩種螺紋接圈分別適合于工業(yè)應用和科研應用，可以方便適配外部光學部件，如濾光片，衰減片，鏡頭，F(xiàn)C光纖轉接盤等。該產品包含一個塑料防塵蓋。具體安裝請參考閱讀第三章節(jié)。每個光電探測器都配有一個輸出±9V的直流線性電源，該直流電源的輸入額定電壓為220VAC/50HZ。

硅(Si) 硅基光電探測器，帶放大，固定增益 400-1100 nm (DC-20KHZ),硅(Si) 硅基光電探測器，帶放大，固定增益 400-1100 nm (DC-20KHZ)

光譜響應

400-1100nm

帶寬(Hz)

20 kHz

通用參數(shù)

產品特點：

低噪聲，小于±lmV

過沖小，過沖電壓小于2.5%

增益穩(wěn)定：增益誤差小于1%

暗偏置電壓輸出噪聲：小于ImV (rms)

應用領域：

•顯示面板檢測

•LED照明頻閃分析

•玩具燈閃爍頻率及功率測量

•氣體分析

搜狗截圖20220217135438.png

參數(shù)

PN#	PDAM005B-Si	PDAM36A5B6G-SI	PDAM20A6B4G-InGaAs
電器特性
輸入電壓	±9VDC, 60mA	±9VDG 100mA	±9VDC. 100mA
探頭	Silicon PIN	Silicon PIN	InGaAs PIN
感光面	2.65mm * 2.65mm	3.6mm * 3.6mm	Diameters@2 mm
波長	400 nm - 1100 nm	320 nm - 1100 nm	800 nm - 1700 nm (Optional Extended (可選擴展) 2600nm)
峰值響應	0.62A/W @850nm	0.6 A/W @960nm	0.9 A/W@1550nm
	43.6mV/uW @850nm	1 mV/nW @960nm	9mV/uW@1550nm
飽和光功率	113pW@ 850nm (Hi-Z)	6uW @960nm (Hi-Z)	660 uW@1550nm (Hi-Z)
帶寬	DC •-5MHz	DC - 200kHz	DC - 5MHz
NEP	7.2 pW/4HZ1/2	2.2 pW/HZ1/2	64.5 pW/HZ1/2
輸出噪聲（RMS）	700 uV	1 mV ?typ	1.3 mV .typ
暗電流偏置（MAX）	±5 mV	±1 mV	±5 mV
上升沿/下降沿（10%—90%）	65 ns	1.7 us	68ns
輸出電壓
Hi-Z	0- SV (Hi-Z)	0-6V (Hi-Z)	0-6V (Hi-Z)
500	0 • 2.5V (50ohm)	0 • 25V (50ohm)	0 • 25V (50ohm)
增益倍數(shù)
Hi-Z	67.5 kV/A	1.68 MV/A	10 kV/A
500	33.8 kV/A	0.84 MV/A	5kV/A
增益精度（typ）	±1%	±1%	±1%
其他參數(shù)
	撥動開關	撥動開關	撥動開關
輸出接口	BNC	BNC	BNC
尺寸	535050mm	535050mm	535050mm
重量	150g	150g	150g
操作溫度	10-50deg	10-50deg	10-50deg
存儲溫度	?25°C - 70°C	-25°C - 70°C	-25°C - 70°C

硅基光電探測器，帶放大，固定增益,型號參考
硅基光電探測器，帶放大，固定增益,型號參考
目錄	波長	帶寬	上升時間	增益		RMS噪聲	NEP	感應面積	工作溫度	電源
目錄	波長	帶寬	上升時間	Hi-Z 負載	50Ω 負載	RMS噪聲	NEP	感應面積	工作溫度	電源
PDA12A8B4G-VIS	400 - 1100 nm	DC - 140MHz	2.5 nS	1*104 V/A	5*103 kV/A	850µV .typ	2*10-11 W/√HZ	1.2mm*1.2 mm	10-50℃	包含（±9V）
PDA12A7B4G-VIS	400 - 1100 nm	DC - 50MHz	7 nS	5*104 V/A	2.5*104 kV/A	800µV .typ	6.3*10-12 W/√HZ	1.2mm*1.2 mm	10-50℃	包含（±9V）
PDA25A6B4G-VIS	400 - 1100 nm	DC - 5MHz	68 nS	1*105 V/A	5*104 V/A	700µV .typ	5.3*10-12 W/√HZ	2.5mm*2.5 mm	10-50℃	包含（±9V）
PDA36A5B6G-VIS	320 - 1100 nm	DC - 200KHZ	1.7 µS	1.68*106 V/A	8.4*105 V/A	1mV .typ	2.2*10-12 W/√HZ	3.6mm*3.6mm	10-50℃	包含（±9V）
PDA25A4B8G-VIS	400 - 1100 nm	DC - 20KHZ	18 µS	1*108 V/A	—	1.5mV .typ	1.8*10-13 W/√HZ	2.5mm*2.5 mm	10-50℃	包含（±9V）