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當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心光電探測(cè)器砷化銦InAs/銦砷銻InAsSbII型超晶格三級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測(cè)器

II型超晶格三級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測(cè)器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

II型超晶格三級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測(cè)器

PCAS-3TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70是一種具有優(yōu)良參數(shù)的II型超晶格三級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)體。光導(dǎo)探測(cè)器應(yīng)在最佳偏置電壓和電流讀出模式下工作

產(chǎn)品型號(hào):
更新時(shí)間:2024-12-06
廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
訪問(wèn)量:1621
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品牌其他品牌產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,能源,建材/家具,電子/電池

II型超晶格三級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測(cè)器

PCAS-3TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70是一種具有優(yōu)良參數(shù)的II型超晶格三級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)體。光導(dǎo)探測(cè)器應(yīng)在最佳偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻率下的性能會(huì)降低。3 °楔形硒化鋅增透涂層窗(wZnSeAR)防止不必要的干擾效應(yīng)。對(duì)于連續(xù)波輻射的檢測(cè),推薦使用光斬波系統(tǒng)。該探測(cè)器不含汞和鎘,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

光譜響應(yīng)
1.6-10.5μm
技術(shù)參數(shù)


產(chǎn)品特點(diǎn)

● 光譜范圍:1.6 ~ 10.5 μm

● 高響應(yīng)度

● 的線性關(guān)系


產(chǎn)品應(yīng)用

● 中紅外激光探測(cè)

● 中紅外氣體分析





參數(shù)

探測(cè)器類型

PCAS-3TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70

有源元件材料

外延超晶格異質(zhì)結(jié)構(gòu)

起始波長(zhǎng)λcut-on(10%),μm

1.6±0.2

峰值波長(zhǎng),λpeak,μm

6.1±0.3

截止波長(zhǎng)λcut-off(10%),μm

10.5±0.3

響應(yīng)度D*(λpeak, 20 kHz), cm·Hz1/2/W

~4.3×108

電流響應(yīng)度Ri(λpeak), A/W

~4.4

時(shí)間常數(shù)T,ns

~17

電阻R,Ω

~180

偏置電壓Vb, V

typ.   0.5

1/f噪聲角頻率fc, Hz

typ. 20k

工作溫度Tdet,K

~210

光敏面A,mm×mm

0.1×0.1

封裝

TO8

接收角度Φ

~70°

窗口

wZnSeAR


探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線

PCAS-3TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70.jpeg

熱敏電阻特性曲線

PV-2TE1.jpeg

三級(jí)TE冷卻參數(shù)表

參量

數(shù)值

Tdet , K

~210

Vmax , V

3.6

Imax , A

0.45

Qmax , W

0.27


窗口鏡抗反射涂層透過(guò)率曲線

4.png


輸入功率與輸出電流線性度曲線(TBB—黑體溫度)

tt.png


TO8封裝外形及尺寸


3TE-TO8引腳定義





功能

PIN號(hào)

探測(cè)器

1,3

熱敏電阻

7,9

TE冷卻器供應(yīng)

2(+),8(-)

底板接地

11

未使用

4,5,6,10,12


備注:使用和儲(chǔ)存注意事項(xiàng)

1.散熱3TE冷卻器產(chǎn)生的熱量,需要有~2 K/W的熱阻散熱器。

2.工作環(huán)境濕度為10% ~ 80%,環(huán)境溫度為-20℃~ 30℃。

3.功率限制:連續(xù)波或單脈沖輻照度大于1 μs時(shí),對(duì)視光學(xué)有源區(qū)域的輻照度不得超過(guò)100 W/cm2;小于1 μs的脈沖輻照度不能超過(guò)1 MW/cm2。

4.儲(chǔ)存于濕度為10%至90%,環(huán)境溫度為-20℃至50℃的黑暗處。


II型超晶格三級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測(cè)器


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