InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)

InGaAs 雪崩光電二極管（APD）是短波近紅外單光子檢測(cè)的專用器件，可滿足量子通信、弱光探測(cè)等領(lǐng) 域?qū)Ω咝实驮肼晢喂庾訖z測(cè)的技術(shù)需求，實(shí)現(xiàn)對(duì)0.9 ~ 1.7μm波長(zhǎng)的單光子探測(cè)。

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2024-12-05

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

訪問(wèn)量：1470

產(chǎn)品咨詢 18602170419

product

產(chǎn)品分類

tel-phone

400-828-1550

查看全部

article

相關(guān)文章

詳細(xì)介紹在線留言

品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)

InGaAs 雪崩光電二極管（APD）是短波近紅外單光子檢測(cè)的專用器件，可滿足量子通信、弱光探測(cè)等領(lǐng) 域?qū)Ω咝实驮肼晢喂庾訖z測(cè)的技術(shù)需求，實(shí)現(xiàn)對(duì)0.9 ~ 1.7μm波長(zhǎng)的單光子探測(cè)。

光譜響應(yīng)

900-1700nm

響應(yīng)度

@1550nm 0.85 A/W

技術(shù)參數(shù)

線性模式參數(shù)

蓋革模式參數(shù)


參數(shù)	單位	測(cè)試條件	最小	典型	最大
單光子探測(cè)效率PDE	%	-45℃ ，λ =1550nm， 0.1ph/pulse 泊松分布單光子源	20
暗計(jì)數(shù)率DCR	kHz	-45℃ ，1ns門(mén)寬， 2MHz門(mén)控重頻，1MHz光重頻，PDE=20%			20*
后脈沖概率 APP		-45℃ ，1ns門(mén)寬， 2MHz門(mén)控重頻，1MHz光重頻，PDE=20%			1× 10-3
時(shí)間抖動(dòng)Tj	ps	-45℃ ，1ns 門(mén) 寬，2MHz門(mén)控重頻，PDE=20%			100