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產品中心光電探測器InGaAs銦鎵砷光電探測器銦鎵砷(InGaAs)高靈敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探測接收模塊
銦鎵砷(InGaAs)高靈敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探測接收模塊
產品簡介
product
產品分類| 品牌 | 其他品牌 | 產地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 化工,能源,建材/家具,電子/電池 |
GD4516YB 是一款高靈敏度大光敏元四象限光電探測模塊，其采用 InGaAs 四象限 APD芯片與低噪聲跨阻抗放大器混合集成。銦鎵砷(InGaAs)高靈敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探測接收模塊
測試條件：TA=22±3℃, VEE=-5V, VCC=5V,VAPD=VBR-3V,λ= 1.55μm。
參數名稱 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
工作波長 | - | 1550 | - | nm |
光敏面直徑 | - | 800 | - | um |
象限間隔 | - | 50 | - | um |
-3dB 帶寬 | - | 2 | - | MHz |
最大線性輸出電壓幅度 | - | 3 | - | Vpp |
交流串擾 | - | - | 5% | - |
電壓響應度 | 5 | - | - | MV/W |
增益一致性 | - | - | 5% | |
輸入等效噪聲功率@2M | - | - | 0.15 | pW/√Hz |
絕對最大額定值
測試條件：TA=22±3℃, VEE=-5V, VCC=5V, λ= 1.55μm。
參數名稱 | 額定值 | 單位 |
貯存溫度范圍 TSTG | -55～+100 | ℃ |
工作溫度范圍 TC | -30～+70 | ℃ |
焊接溫度 Tp | 260（10s） | ℃ |
TEC 電壓 VTEC | 7.4±0.74 | V |
TEC 電流 ITEC | 3.2±0.32 | A |
熱敏電阻阻值 Rth | 10 | kΩ |
工作電壓 VCC | ±5(±0.1) | V |
熱敏電阻阻-溫特性表
產品符合 GJB 8120-2013《半導體光電模塊通用規范》。
貯存使用要求:
儲存和使用
● 器件應儲存在溫度為-10°C~+40°C和相對濕度不大于80%的通風、無腐蝕性氣體影響的潔
凈環境。
● 儲存和使用過程避免外來物理損壞。
靜電防護
● 產品為靜電敏感器件，在取放、安裝過程必須采取相應的靜電防護措施，如焊裝工具良好接地、人員佩戴防靜電手腕，穿戴防靜電服、工作臺上鋪設防靜電桌布等。
● 器件安裝、上電
● 使用器件時，首先接地，然后開啟電源;關閉器件時，首先移除光源，然后斷開電源。
● 器件應用時參數設計不應超過其最大額定值。
● 器件測試安裝應輕拿輕放，避免引線針及光纖折損。
● 正照平面型芯片結構
● 象限間隔小、象限間串擾低
● 增益均勻性高
● 內部集成 TEC 與溫度傳感器
● 空間光輸入
封裝外形、尺寸及引腳定義（單位：mm;公差：±0.05mm）
附表1 引腳定義
引腳 | 定義 | 引腳 | 定義 |
1 | TEC+ | 8 | VCC |
2 | OUT2 | 9 | OUT4 |
3 | TEC- | 10 | GND |
4 | GND | 11 | VEE |
5 | / | 12 | OUT1 |
6 | OUT3 | 13 | R- |
7 | GND | 14 | R+ |
● 激光定位
● 激光通信
● 捕獲、跟蹤
● 激光制導
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