銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測器 800-1700nm (140MHz)銦鎵砷(InGaAs)光電探測器是一種額定帶寬，固定增益的光電探測器，用于檢測光信號。光信號從光電sensor感應面輸入，輸出通過BNC以電壓形式輸出。

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更新時間：2024-12-05

廠商性質：經銷商

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品牌	其他品牌	產地類別	進口
應用領域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

銦鎵砷(InGaAs)放大型光電探測器 800-1700nm (2MHz)

通用參數

搜狗截圖20220217135438.png

產品特點：

低噪聲，小于±lmV

過沖小，過沖電壓小于2.5%

增益穩定：增益誤差小于1%

暗偏置電壓輸出噪聲：小于ImV (rms)

應用領域：

•顯示面板檢測

•LED照明頻閃分析

•玩具燈閃爍頻率及功率測量

•氣體分析

參數

PN#	PDA M 005B- Si	PDA M 36A5B6G- SI	PDA M 20A6B4G- InGaAs
電器特性
輸入電壓	±9VDC, 60mA	±9VDG 100mA	±9VDC. 100mA
探頭	Silicon PIN	Silicon PIN	InGaAs PIN
感光面	2.65mm * 2.65mm	3.6mm * 3.6mm	Diameters@2 mm
波長	400 nm - 1100 nm	320 nm - 1100 nm	800 nm - 1700 nm(Optional Extended(可選擴展) 2600nm)
峰值響應	0.62A/W @850nm	0.6 A/W @960nm	0.9 A/W@1550nm
	43.6mV/uW @850nm	1 mV/nW @960nm	9mV/uW@1550nm
飽和光功率	113pW@ 850nm (Hi-Z)	6uW @960nm (Hi-Z)	660 uW@1550nm (Hi-Z)
芾寬	DC •-5MHz	DC - 200kHz	DC - 5MHz
NEP	7.2 pW/4HZ1/2	2.2 pW/HZ1/2	64.5 pW/HZ1/2
輸出噪聲（RMS）	700 uV	1 mV ?typ	1.3 mV .typ
暗電流偏置（MAX）	±5 mV	±1 mV	±5 mV
上升沿/下降沿（10%—90%）	65 ns	1.7 us	68ns
輸出電壓
Hi-Z	0- SV (Hi-Z)	0-6V (Hi-Z)	0-6V (Hi-Z)
500	0 • 2.5V (50ohm)	0 • 25V (50ohm)	0 • 25V (50ohm)
增益倍數
Hi-Z	67.5 kV/A	1.68 MV/A	10 kV/A
50Q	33.8 kV/A	0.84 MV/A	5kV/A
增益精度（typ）	±1%	±1%	±1%
其他參數
	撥動開關	撥動開關	撥動開關
輸出接口	BNC	BNC	BNC
尺寸	535050mm	535050mm	535050mm
重量	150g	150g	150g
操作溫度	10-50deg	10-50deg	10-50deg
存儲溫度	?25°C - 70°C	-25°C - 70°C	-25°C - 70°C

銦鎵砷光電探測器，帶放大，固定增益型號參考