熱門搜索：
P760/01_2760nm單模垂直腔面發射激光器
VCSEL-20-M激光控制驅動器
ZNSP25.4-1IR拋光硫化鋅(ZnS)多光譜(透明)窗片 0.37-13.5um 25.4X1.0mm（晶體/棱鏡
CO2激光光譜分析儀
Frequad-W-CW DUV 單頻連續激光器 213nm 10mW Frequad-W
HB-C0BFAS0832x4 QPSK C波段相干混頻器（信號解調/鎖相放大器等）
ER40-6/125截止波長1300nm 高摻雜EDF摻鉺光纖
GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm
THL-ZnTe20-500RZNTE（碲化鋅）太赫茲晶體
SNA-4-FC-UPC日本精工法蘭FC/UPC（連接器/光纖束/光纜）
IRV2000-1X1倍紅外觀察鏡 350-2000nm,分辨率 60lp/mm
NANOFIBER-400-9-SA干涉型單模微納光纖傳感器 1270-2000nm
1030nm超短脈沖種子激光器PS-PSL-1030
高能激光光譜光束組合的光柵 （色散勻化片）
FLEX-BF裸光纖研磨機
S+C+L波段 160nm可調諧帶通濾波器
當前位置：首頁
產品中心光纖/光纖器件/光纖處理摻雜光纖（有源光纖）中紅外摻鉺單模光纖 (稀土摻雜 鉺摻雜 SMFF單模氟化物光纖)
中紅外摻鉺單模光纖 (稀土摻雜 鉺摻雜 SMFF單模氟化物光纖)
產品簡介
product
產品分類| 品牌 | 其他品牌 | 價格區間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組件類別 | 光學元件 | 應用領域 | 綜合 |
| 參數 | 見參數表 |
ZBLAN氟化物光纖的特點之一是各種稀土摻雜物，比如Tm、Pr和Er的高效率光發射。光纖用摻稀土的單模ZBLAN光纖抽芯光放大器、ASE光源和光纖激光器作為增益介質。摻鐠單模光纖 (稀土摻雜 SMFF單模氟化物光纖)摻鐠單模光纖 (稀土摻雜 SMFF單模氟化物光纖)
中紅外摻鉺單模光纖 (稀土摻雜 鉺摻雜 SMFF單模氟化物光纖)
類型 | 摻稀土單模光纖 |
光纖類型 | 階躍指數型單模光纖 |
摻雜稀土元素 | Pr，Nd，Ho，Er，Dy，Tm，Yb，others |
摻雜濃度（ppm mol） | 500-50000 |
數值孔徑 | 0.16,0.21,0.26 |
截止波長（um） | <2.5 |
芯徑（um） | 2-12um |
涂覆層直徑（um） | 450/460±30 |
包層直徑（um） | 123±3 |
芯/涂覆層玻璃 | ZBLAN氟化物玻璃 |
涂層材料 | UV固化丙烯酸酯 |
實驗測試 | 1.25cm直徑 |
單模光纖相關型號
型號 | 摻雜劑 | 濃度 ppm mol | 數值孔徑 | 芯徑 um | 包層直徑 um | 涂覆層直徑 um | 截止波長 nm | 損耗光譜 |
ZSF-3/125-N-0.25 | non | – | 0.25 | 3±1 | 123±3 | 450±30 | <2350 | - |
ZSF-9/125-N-0.18 | non | – | 0.19 | 9±1 | 123±3 | 450±30 | <2350 | - |
ZSF-2.3/120-3.2T | Tm | 3,200 | 0.26 | 2.3±0.5 | 120±4 | 370±30 | <950 | - |
ZSF-2.5/125-4.4T | Tm | 4,400 | 0.27 | 2.5±0.3 | 123±3 | 450±30 | <1000 | – |
ZSF-2.7/125-3.2T | Tm | 3,200 | 0.26 | 2.7±0.3 | 123±3 | 450±30 | <1050 | - |
ZSF-8.5/125-13T | Tm | 13,000 | 0.16 | 8.5±1.5 | 125±3 | 450±30 | <2200 | - |
ZSF-2.4/125-1.5P | Pr | 1,500 | 0.25 | 2.4±0.4 | 123±3 | 450±30 | <950 | - |
ZSF-4.7/125-2E | Er | 2,000 | 0.2 | 4.7±0.5 | 123±3 | 450±30 | <1350 | – |
ZSF-5.5/125-5E | Er | 5,000 | 0.12 | 5.5±0.5 | 123±3 | 450±30 | <950 | - |
ZSF-9.0/125-1H | Ho | 1,000 | 0.16 | 9.0±1.0 | 123±3 | 450±30 | <2100 | - |
ZSF-10/125-1H | Ho | 1,000 | 0.16 | 10±5 | 123±3 | 450±30 | <3150 | - |
ZSF-2.1/125-1Y | Yb | 1,000 | 0.28 | 2.1±0.3 | 123±3 | 450±30 | <900 | - |
ZSF-13/125-1D-0.16 | Dy | 1,000 | 0.16 | 13±3 | 123±3 | 450±30 | <3300 | - |
ZSF-14/125-3D-0.16 | Dy | 3,000 | 0.16 | 14±6 | 123±3 | 475±4 | <4200 | - |
ZSF-13/125-40C | Ce | 40,000 | 0.12 | 13±2 | 123±3 | 450±30 | <2350 | - |
中紅外摻鉺單模光纖 (稀土摻雜 鉺摻雜 SMFF單模氟化物光纖)
背景損耗和發射波長
通過選擇稀土元素和激發波長，得到不同波長的光發射。雖然芯在長波長區域具有較低的損耗，但在第一包層中的傳播光在3.5um處造成更大的損耗，而由于吸收用于第二包層的氟基UV樹脂而導致更多波長損耗。
● 中紅外光源
● 中紅外系統搭建
● 中紅外放大器
上一個：
返回列表
