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當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心光電探測(cè)器砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb紅外兩級(jí)TE冷卻InAs光浸式光伏探測(cè)器

紅外兩級(jí)TE冷卻InAs光浸式光伏探測(cè)器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2-5.5μm紅外兩級(jí)TE冷卻InAs光浸式光伏探測(cè)器 PVIA-2TE系列具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標(biāo)要求。帶有3°楔形藍(lán)寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。

產(chǎn)品型號(hào):
更新時(shí)間:2024-12-04
廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
訪問(wèn)量:1214
詳細(xì)介紹在線留言
品牌其他品牌產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,能源,建材/家具,電子/電池

PVIA-2TE系列是基于InAsSb合金的兩級(jí)TE冷卻紅外光探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用,且不含汞和鎘,符合RoHS指標(biāo)要求。帶有3°楔形藍(lán)寶石(wAl2O3)窗口防止不必要的干擾影響。

產(chǎn)品特點(diǎn)

可探測(cè)紅外波長(zhǎng)范圍2-5.5μm

采用兩級(jí)TE冷卻有效提高探測(cè)效率

可配專用前置放大器

高溫度穩(wěn)定性與機(jī)械耐久性

帶有超半球微型砷化鎵透鏡以實(shí)現(xiàn)光學(xué)浸沒(méi),提升探測(cè)器的性能

封裝及尺寸

TO8型封裝外形尺寸圖

23.jpg

參量

數(shù)值

浸沒(méi)微型透鏡形狀

超半球形

光學(xué)區(qū)域面積AO;mm×mm

1×1

R,mm

0.8

A,mm

3.2±0.30

備注:

?—接收角度;

R—超半球微型透鏡半徑

A—2TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離


2TE-TO8引腳定義

功能

PIN號(hào)

探測(cè)器

1,3

反向偏壓(可選)

1(-),3(+)

熱敏電阻

7,9

TE冷卻器供應(yīng)

2(+),8(-)

底板接地

11

未使用

4,5,6,10,12

產(chǎn)品應(yīng)用

醫(yī)學(xué)熱成像

紅外光譜分析

中紅外氣體吸收檢測(cè)

中紅外激光探測(cè)

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)

探測(cè)器型號(hào)

PVIA-2TE-3

PVIA-2TE-5

有源元件材料

外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)

外延InAsSb異質(zhì)結(jié)構(gòu)

起始波長(zhǎng)λcut-on (10%), μm

2.1±0.2

2.4±0.2

峰值波長(zhǎng)λpeak(μm)

2.9±0.3

4.7±0.3

截止波長(zhǎng)λcut-off (10%), μm

3.4±0.2

5.5±0.2

相對(duì)響應(yīng)強(qiáng)度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W

≥5×1011

≥4×1010

電流響應(yīng)度Ri(λpeak),A/W

≥1.3

≥1.5

時(shí)間常數(shù)T,ns

≤15

≤5

電阻R,Ω

≥200K

≥1K

元件工作溫度Tdet,K

~230

感光面尺寸A,mm×mm

1×1

封裝

TO8

接收角Φ

~36°

窗口

wAl2O3


探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線

PVIA-2TE1.jpeg

熱敏電阻特性曲線

PV-2TE1.jpeg

兩級(jí)TE冷卻參數(shù)表

參量

數(shù)值

Tdet , K

~230

Vmax , V

1.3

Imax , A

1.2

Qmax , W

0.36


抗反射涂層窗口光譜透過(guò)率曲線

5.png



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