熱門搜索：
P760/01_2760nm單模垂直腔面發射激光器
VCSEL-20-M激光控制驅動器
ZNSP25.4-1IR拋光硫化鋅(ZnS)多光譜(透明)窗片 0.37-13.5um 25.4X1.0mm（晶體/棱鏡
CO2激光光譜分析儀
Frequad-W-CW DUV 單頻連續激光器 213nm 10mW Frequad-W
HB-C0BFAS0832x4 QPSK C波段相干混頻器（信號解調/鎖相放大器等）
ER40-6/125截止波長1300nm 高摻雜EDF摻鉺光纖
THL-ZnTe20-500RZNTE（碲化鋅）太赫茲晶體
GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm
SNA-4-FC-UPC日本精工法蘭FC/UPC（連接器/光纖束/光纜）
IRV2000-1X1倍紅外觀察鏡 350-2000nm,分辨率 60lp/mm
NANOFIBER-400-9-SA干涉型單模微納光纖傳感器 1270-2000nm
1030nm超短脈沖種子激光器PS-PSL-1030
高能激光光譜光束組合的光柵 （色散勻化片）
FLEX-BF裸光纖研磨機
S+C+L波段 160nm可調諧帶通濾波器
905nm 600w高峰值功率脈沖半導體激光器
產品簡介
| 品牌 | 其他品牌 | 價格區間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組成要素 | 自由電子激光器 | 產地類別 | 進口 |
| 應用領域 | 化工,建材/家具,電子/電池 |
LD-PD的脈沖半導體激光器模塊是一個整體905nm的InGaAs/GaAs應變量子阱激光管，可在45A版本中單獨驅動，激光器的電流注入寬度為200微米，高度為10-480微米芯片。激光二極管的封裝設計和組裝加工技術，我們現在提供9毫米封裝，5毫米封裝以及18F光纖耦合包裝。量子阱激光器設計的上升和下降時間小于1ns，但是驅動電路布局和封裝電感起主導作用應進行相應的設計。
● 高可靠性/高效率
● 從-40°C到+85°C的穩定輸出
● 高達375W的單個和堆疊設備
● 高達188W的光纖耦合設備
● 提供定制包裝
● 大功率單片STAC
● 可靠性
● 客戶特定波長可選
TO5.6 Package
TO18F Package
9mm Package
最大極限參數
參數 | 單位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
管殼溫度 | ℃ | -5 | 25 | 85 |
芯片溫度 | ℃ | 0 | 25 | 85 |
驅動電流 | A | 0 | 45 | 50 |
驅動電壓 | V | 0.8 | 1.2 | 1.8 |
● 測距
● 仿真
● 測量設備
● 國土安全
● 激光雷達
● 自適應巡航控制
PL-QWLD-□□□□-XX
□□□□：Peak Power
80:80w
*****
150:150w
350: 350w
450:450W
600:600W
XX: Package Type
TO56=TO5.6
TO9=TO9
TO18FXXX=TO18 Fiber coupled + XXX
(Contact our sales for the coupling Type fiber)
最小起訂量: 5只
(Drive Conditions: 100ns 45Amps 1kHz @ 25°Cunless stated otherwise)
參數 | 符號 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
峰值波長 | λ | 895 | 905 | 915 | nm |
譜寬 | ?λ | 5 | 8 | nm | |
上升時間 | Tr | 100 | ns | ||
工作電流 | Iop | 45 | A | ||
峰值功率 | Pp | 500 | 600 | 650 | W |
閾值電流 (typ) | Ith | 0.8 | A | ||
占空比 | 0.1 | % | |||
光斑發散度 | 8 x 25 | deg | |||
驅動電壓 | Vf | 1.3 | 2 | V | |
操作溫度 | Ot | 0 | 25 | 85 | deg |
可選光纖耦合類型* | 200/300/400/600um Depending on Peak Power | um | |||
光纖出光功率(typ) | Pf | 38 | 100 | 188 | w |
中心波長溫度曲線
光譜圖
L-I Curve（測試條件45A 1KHZ 100ns）
當前位置：
上一個：
返回列表
